3奈米制程“惹祸”？传 i15Pro出现这问题

 苹果（Apple）iPhone 15系列在多国热卖，不过却有果粉表示i15 Pro有过热的情况产生，韩国媒体引述业内人士看法，认为手机过热恐与台积电3奈米製程技术有关。

韩媒《BusinessKorea》报道，近日有中国用户反映，i15 Pro玩手游30分钟左右，手机温度竟飙升至48度，业内人士将手机发烫的可能原因指向台积电的製程，认为传统的鳍式场效电晶体（FinFET）製程恐已达到极限。

FinFET製程技术的出现，让半导体产业得以顺利突破瓶颈，也是让台积电成为半导体霸主的关键技术，然而，一但升级至3奈米以下，控制电流将变得极具挑战，很可能因此引发手机过热的问题。

报道指出，先前三星电子（Samsung）也曾在5奈米及4奈米製程遭遇挫折，导致Galaxy S22内建的芯片面临过热问题，最终导致如：高通（Qualcomm）等主要大客户转单至台积电，也因此拉开了三星与台积电在半导体业的市佔率。

报道另点出后续隐忧，认为台积电初代3奈米製程若存有瑕疵，基于同样技术的后续製程恐怕也将面临类似问题。先前台积电曾表示，将于2奈米时改采用环绕式闸极（GAA）技术，解决FinFET製程技术卡关的问题，三星已于3奈米製程中采用GAA技术。

韩国业内人士认为，i15 Pro的过热问题可能与台积电3奈米製程技术有关。（法新社）