一位德国数据恢复专家证实了许多Reg读者的怀疑：USB 记忆棒的可靠性越来越低。正如您可能已经猜到的那样，原因是劣质内存芯片，而每个闪存单元存储多个位的举措也起到了一定作用。
CBL Data Recovery表示，microSD 和 USB 记忆棒中新型存储组件的质量正在下降，并且报告称，芯片上已去除 NAND 制造商徽标的 USB 记忆棒越来越多地出现在其数据恢复实验室中。
它怀疑来自 SK hynix、Sandisk 或 Samsung 等制造商未通过质量控制检查的闪存芯片被转售到市场，但被标记为内存容量较低的组件。
CBL 董事总经理康拉德·海尼克 (Conrad Heinicke) 写道：“去年，当我们打开有缺陷的 USB 记忆棒时，我们发现了数量惊人的劣质存储芯片，这些芯片的容量有所减少，并且制造商的徽标也从芯片上被删除。”
Heinicke 表示，许多 USB 记忆棒实际上包含安装在电路板上并由外部控制器芯片管理的 microSD 卡。他说，虽然像这样的U盘主要是促销礼品，但其中也有品牌产品，并补充说：“你不应该过分依赖闪存的可靠性。”
Heinicke 的观点是，采用多层单元架构（即通过改变电压来诱导单个存储单元存储多个位）也加剧了这种情况。例如，对于四级单元 (QLC)，每个单元存储 4 位，这意味着必须区分 16 种状态。
NAND 闪存制造商选择这条路径是因为它提供了更高的存储密度，这意味着更高的驱动器容量和更低的每 GB 成本。但它也对细胞的耐力或寿命有影响。换句话说，单元用于存储的位数越多，磨损得越快。
“成功提高存储密度的缺点是：可写性（耐用性）和存储容量（保留性）下降，”他写道。“这意味着最大可能的写入-读取周期数会减少，并且由于保存这些电荷的绝缘层老化而无法再读取以位形式读取的电荷差异的风险增加。”
示意图
根据Blocks & Files 的数据，单级单元支持大约 100,000 个周期，而（2 位）MLC 单元在大约 10,000 个周期后就会磨损，三级单元限制为 3,000 个周期，QLC 支持大约 1,200 个周期。即将推出的五级单元（每个单元 5 位）的周期可能少于 600 个。
“即使使用高质量的存储芯片，制造商也必须在控制器中的纠错机制上付出巨大的努力。包含退役芯片的 USB 记忆棒发生数据丢失并不奇怪，”Heinicke 表示。
他为 Flash 用户发布了一些提示。如果您经常在 USB 记忆棒上写入和删除数据，例如将其用作备份设备，则应轮流使用多个记忆棒。
如果要使用闪存介质长期存储任何内容，请使用高质量的存储硬件，并将其保存在阴凉的地方，因为高温可能会加速数据丢失。
闪存存储应每年或半年访问一次，因为这允许纠错机制在内部复制“褪色”数据，并且设备不应填满容量 - 留下未分配的空间可以使内部数据维护和纠错机制运行更长时间。
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