半导体，要进入1nm以下时代了

美国英特尔正在加紧开发尖端半导体“Intel 20A”。20A中的A意为“埃米（angstrom）”。埃米是表示1纳米的10分之1的长度单位，20A指2纳米。英特尔提出新的技术指标，在与台积电（TSMC）和三星电子的竞争中试图扭转劣势。

目前，衡量半导体尖端技术的指标一般使用纳米。具体是指半导体电路的线宽，电路越细半导体的处理能力和数据存储容量越高，还能够抑制电力消耗，并有助于半导体芯片的小型化。半导体厂商一直在竞相推进全是益处的“电路微细化”。

回顾大规模集成电路（LSI）的历史，英特尔在1971年推出的“Intel 4004”成为起点。当时的线宽为10微米左右，换算成纳米是1万纳米。从那时起，按照半导体芯片单位面积的性能在约2年内翻一番的“摩尔定律”不断实现微细化。

目前最尖端的是台积电和三星将量产的3纳米半导体。与之相对，英特尔的最新技术是7纳米。2010年代后半期，英特尔在生产技术的开发上落后，被甩在后面。

这样的英特尔能否一跃实现20A、也就是2纳米技术？答案是否定的。不容忽视的一点是，英特尔并没有明确表示“20A”指电路线宽。

实际上，5纳米、3纳米等指标从约5年前开始与电路线宽的实际尺寸出现背离。目前还没有关于应测量半导体电路的哪个位置的国际标准，台积电和三星正在量产的3纳米也只是“企业方面的说辞”（半导体设计公司高管）。

英特尔宣告“埃米时代的到来”，但没有明确说明是长度单位。这只是一个营销口号，目的是彰显先进形象。

那么，现在的线宽指的是什么呢？通常是把单位面积的半导体元件数与过去的自身产品进行比较，根据元件增加了多少来计算。

虽然因为简单易懂而经常被使用，但不能单纯地用这个数值来进行性能比较。还需要关注实际的数据处理能力、数据存储容量、省电性能、订单量等。