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据日本共同社日前报道,日本电子零部件巨头罗姆(ROHM)将于今年12月量产下一代功率半导体,以碳化硅(SiC)为原材料。
据悉,罗姆花费约20年推进研发碳化硅半导体。新一代半导体可让可提高机器运转的用电效率,若装在纯电动汽车上,续航里程可提升一成,电池体积也可更小。
公开资料显示,碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性,突破硅基半导体材料物理限制,是第三代半导体核心材料。
碳化硅是主要由硅元素和碳元素组合而成的一种化合物半导体材料。主要用于功率+射频器件,适用于600V以上的高压场景,包括光伏、新能源汽车、充电桩、风电、轨道交通等等电力电子领域。
与前两代半导体材料相比最大的优势是较宽的禁带宽度,保证了其可击穿更高的电场强度,适合制备耐高压、高频的功率器件,是电动汽车、5G 基站、卫星等新兴领域的理想材料。
以新能源汽车为例,电动汽车系统涉及功率半导体应用的组件有电机驱动系统、车载充电系统(On-board charger,OBC)、车载 DC/DC 及非车载充电桩。其中,电动车逆变器市场碳化硅功率器件应用最多,碳化硅模块的使用使得整车的能耗更低、尺寸更小、行驶里程更长。
目前,国内外车企均积极布局碳化硅器件应用,以优化电动汽车性能,特斯拉、比亚迪、丰田等车企均开始采用碳化硅器件。
随着碳化硅功率器件的生产成本降低,碳化硅在充电桩领域的应用也将逐步深入。
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