芯片代工龙头厂台积电1日宣布，3奈米（N3）技术将于2022年下半年开始量产，届时将成为全球最先进的逻辑技术。N3将凭藉著可靠的FinFET电晶体架构，支援最佳的效能、功耗效率以及成本效益，相较于N5技术，其速度增快15%，功耗降低达30%，逻辑密度增加达70%。
台积电南科十八厂是3奈米量产基地
台积电举办2021年技术论坛，1日在北美率先登场，受疫情影响，连续第2年采用线上形式举行，与客户分享公司多项最新的技术发展。
台积电表示，继2020年领先业界量产5奈米（N5）技术，良率提升的速度较前1世代的7奈米技术更快之后，3奈米（N3）技术将于2022年下半年开始量产，届时将成为全球最先进的逻辑技术。N3将凭藉著可靠的FinFET电晶体架构，支援最佳的效能、功耗效率以及成本效益，相较于N5技术，其速度增快15%，功耗降低达30%，逻辑密度增加达70%。
3DFabric系统整合解决方案方面，台积电表示，持续扩展由三维硅堆叠及先进封装技术组成的完备3DFabric系统整合解决方案。 针对高效能运算应用，公司将于2021年提供更大的光罩尺寸来支援整合型扇出暨封装基板（InFO_oS）及 CoWoS®封装解决方案，运用范围更大的佈局规画来整合小芯片及高频宽记忆体。系统整合芯片之中芯片堆叠于晶圆的（CoW）的版本预计今年完成N7对N7的验证，并于2022 年在崭新的全自动化晶圆厂开始生产。
针对行动应用，台积电推出InFO_B 解决方案，将强大的行动处理器整合于轻薄精巧的封装之中，提供强化的效能与功耗效率，并且支援行动装置制造厂商封装时所需的动态随机存取记忆体堆叠。
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