中国光刻技术与国外差距15-20年

　　国内发展半导体产业的决心已经无需多言，目前国内最薄弱的领域还是芯片制造，而在这方面我们又缺少尖端的半导体生产设备，尤其是光刻技术，这是半导体芯片生产中的核心工艺。

　　根据刘明院士所说，我国在EUV光源、多层膜、掩膜、光刻胶、超光滑抛光技术等方面取得了一些研究进展，但是总体来说，国内的光刻技术与国外技术差距依然有15到20年，是整个集成电路中差距最大的环节。

　　此前我们报道过，目前荷兰ASML公司的EUV光刻机已经可以制造7nm及以下工艺，但是国内的光刻机只能做到90nm工艺级别，多数是用在低端生产线上，或者是面板生产线上，28nm及以下的工艺依然需要进口ASML的光刻机才能解决。